رونمایی اسلات جدید رم NitroPath ایسوس با هدف کاهش تداخل الکتریکی
نوشته شده توسط : Tecnoc

ایسوس اسلات رم جدیدی به نام NitroPath را رونمایی کرده است که با کاهش تداخل الکتریکی از اسلات‌های رم خالی، سرعت رم را تا ۴۰۰ مگابایت‌برثانیه افزایش می‌دهد.

 برای خواندن مشروح خبر کلیک کنید





:: بازدید از این مطلب : 9
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : چهار شنبه 18 مهر 1403 | نظرات ()
مطالب مرتبط با این پست
لیست
می توانید دیدگاه خود را بنویسید


نام
آدرس ایمیل
وب سایت/بلاگ
:) :( ;) :D
;)) :X :? :P
:* =(( :O };-
:B /:) =DD :S
-) :-(( :-| :-))
نظر خصوصی

 کد را وارد نمایید:

آپلود عکس دلخواه: